半導體行業(芯片製造)

國家存儲器基地工程(一期)二階段工程通用配電C標段

承建時間:2020/1/17—2021/5/31

建築麵積:FAB主廠房27.8萬m²,項目總用地114.5萬m²

潔淨麵積:7.3萬平米

潔淨級別:千級

承包範圍:1 號建築(12 英寸存儲器生產廠房 1 FAB1)Stage1-3 範圍:含 BUS WAY、I-LINE 盤、ACB 盤、橋架、電纜、照明插座等;5 號建築(綜合動力站)、6 號建築(廢水處理站 1)、8 號建築、18 號建築 Stage1-3 範圍;

項目概述:國家存儲器基地項目位於武漢市光穀未來科技城內,項目主要生產12英寸閃存芯片。本工程以設備采購安裝為主,尤其以母線、插接箱、電纜、工藝盤櫃(I-Line盤)、橋架的體量最大。

行業價值:長江存儲科技有限責任公司於2016年7月在中國武漢成立,是一家專注於3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品,廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。2017年,長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路製造工廠的基礎上,通過自主研發和國際合作相結合的方式,成功設計並製造了中國首批3D NAND閃存芯片。長江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發中心,通過不懈努力和技術創新,致力於成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。

 

鳥瞰圖

 

實景圖